Re: inteligentni on/off sklopOvde sam samo razmotrio slučaj gde je to sasvim moguće izvesti, i to u edukativnom smislu radi mlađih.
Za tebe ne sumnjam da znaš to.
Citat:
vladd:
Takva pojava je realno NEMOGUCA, da se iz 20V, sa brzom ivicom, kod slaboinduktivne komponente, proizvede 10X veci napon..
Cak i da imas neka preslikavanja u induktivnostima(u slucaju trafoa), ne bi se pojavio spajk veci od 3 puta nekog napona.
Takva pojava je realno NEMOGUCA, da se iz 20V, sa brzom ivicom, kod slaboinduktivne komponente, proizvede 10X veci napon..
Cak i da imas neka preslikavanja u induktivnostima(u slucaju trafoa), ne bi se pojavio spajk veci od 3 puta nekog napona.
Ne bih se složio da je to nemoguće, posebno iz razloga što sam bušio IGBT blok kao pesnica, induktivitetom od 2uH svega.
To je stvar akumulirane energije u induktivitetu, brzine isključenja tranzistora i delom vrste tranzistora.
Radi pouke mlađima, u nekoj kratkoj pauzi, napravio sam brzi test sa šemom, fotkom i oscilogramima u prilogu
Naime, ono što je u celoj priči bitno je količina energije akumulirana u parazitnom induktivitetu, što bi u nekom do sada pretpostavljenom slučaju od Llk=3.3uH pri 10Apk bilo: E(Llk)=165uJ
Naravno u igri je i brzina gašenja mosfeta, kao i sposobnosti samog mosfeta.
Radi testa sam uzeo set od serijske veze neinduktivnog otpornika od 47R/50W, kalema od 100uH, napajanjem od 30V.
Neinduktivni otpornik sam uključivao vrlo sposobnim mosfetom (1200V, tf=18,4nS) i za takav mosfet ga vrlo lenjo pobudio sa tf=320nS.
Pobuda je iz funkcijskog generatora sa Ri=50R, na 45KHz radi bolje vidljivosti oscilograma. pobudni signal je amplitude 0-15V, pravougaoni. Pomoćni PNP brže prazni gejt, ali sa kontrolisanom silaznom tranzicijom.
Pošto me je mrzelo nešto da kačim HV sondu X 100, a žao mi je da koknem Rigolovu x 10, dopustio sam Vpk na drejnu od 600Vpk.
Energija u kalemu je E([email protected])=19.85uJ, tj. 8.3 puta manja nego u Bogdanovom slučaju i kao od šale se postiže 600Vpk.
Da sam stavio novi generator sa silaznom tranzicijom od 10nS i drajver koji to može spucati u mosfet, dovoljno bi bilo da ostvarim nešto manje od pola tf, tj. ispod 150nS i da dostignem 1200Vpk.
Dakle, zaključak je sasvim jasan:
U određenim uslovima je sa beznačajnim naponom napajanja MOGUĆE dostići imponzantan prenaponski pik, koji u slučaju dovoljne gustine ponavljanja može oštetiti tranzistor.
Uslovi za to su sledeći:
- dovoljna energija u Llk,
- dovoljna brzina isključenja (velika struja iG_off),
- dovoljno mala parazitna kapacitivnost u koju se prazni Llk,
- dovoljna gustina ponavljanja gde će discipacija prekoračiti dozvoljenu...
Pretpostavljam da ne treba da objašnjavam da je sasvim sve jedno koja induktivnost je u pitanju i koja struja, ukoliko je energija u L dovoljna, tj. ovaj test model sa 100uH pri 0,63A sasvim zadovoljava test jer raspolaže sa čak 8,3 puta manjom energijom nego kod Bodanovog grejača sa pretpostavljenih parazitnih 3,3uH pri 10A.
Primera radi 1uH sa 500A (a to je komad žice od metar) raspolaže sa 125000uJ ili 0.125J, što razvali vrlo moćan tranzistor ako se ne pazi na te stvari.
Pozdrav
