Navigacija
Lista poslednjih: 16, 32, 64, 128 poruka.

Gate mosfeta u vazuhu- provodi DS ili ne?

[es] :: Elektronika :: Gate mosfeta u vazuhu- provodi DS ili ne?

[ Pregleda: 2076 | Odgovora: 3 ] > FB > Twit

Postavi temu Odgovori

Autor

Pretraga teme: Traži
Markiranje Štampanje RSS

zivadin_despot
Živadin Despotović
Novi Sad

Član broj: 175438
Poruke: 704
*.dynamic.sbb.rs.



+5 Profil

icon Gate mosfeta u vazuhu- provodi DS ili ne?03.06.2012. u 21:51 - pre 144 meseci
Pozdrav svima, opet ja sa invertorima...
Interesuje me sledece, ispitujem samo invertorski deo, gde se nalazi 6 mosfeta oznake IRF730 i 6 otpornika na gate-ovim vrednosti 15Ohm i dva prikljucka za DC kolo. Sema je u prilogu. Pre svega se nalazi osigurac. Pitanje je da li mosfeti provode ili sta se desava sa njima ako im gate-ovi vise u vazduhu? Kada sam spojio izbijao mi je osigurac. Stavljao sam 500mA i 3.3A tromi, oba izbijali.
Unapred hvala
Prikačeni fajlovi
 
Odgovor na temu

VRadule
Vladimir Radulovic

Član broj: 191689
Poruke: 211
*.dynamic.isp.telekom.rs.



+8 Profil

icon Re: Gate mosfeta u vazuhu- provodi DS ili ne?03.06.2012. u 23:06 - pre 144 meseci
Nekontrolisan je kada visi, impedansa na niskim frekvencijama mu je velika tako da indukovanje 50Hz sigurno moze da ga otvori.

U sustini kontrolni ulazi, bilo da je BJT ili MOSfet se ne ostavljaju da vise, minimum neki pull-up ili pull-down otpornik,
u zavisnosti od konfiguracije.
Mozda bi to i moglo u stabilnom stanju, ali u prelaznim rezimima ukljucivanja i iskljucivanja napona napajanja bez definisanog
stanja kontrolnog ulaza divljanje je zagarantovano.

U tvojoj varijanti levu stranu gejt štopera spoji na sors, da bi imao zakočen mosfet.
 
Odgovor na temu

mikikg
System administrator
Srbija

Član broj: 3779
Poruke: 5059
*.dynamic.isp.telekom.rs.

Sajt: yu3ma.net


+505 Profil

icon Re: Gate mosfeta u vazuhu- provodi DS ili ne?04.06.2012. u 00:33 - pre 144 meseci
MOS-FET tranzistori po definiciji imaju jako visoku ulaznu otpornost gejta ali takodje i relativno visoku kapacitivnost, zavisi od modela, ali reda nekoliko nF.

Upravo ova kapacitivnost zadaje najvise muke i recimo moze biti problem u kolu gde gejt "visi" da je jednostavno gejt iz ko-zna-kog razloga ostao naelektrisan (napunjen kondezator, recimo elektrostatikom) i samim tim tranzistor provodi bez "ikakvog povoda". Ovo stanje moze bukvalo da ostane satima takvo sve dok se taj "kondezator" ne isprazni i tako dovede do samo-gasenja tranzistora. Ako bi recimo pre paljenja ovakvog slopa "resetovali" tranzistor tj prespajanjem nozica ispraznili taj naboj na gejtu, nakon ukljucenja ta konstrukcija moze da radi totalno drugacije ajd da kazem ispravno.

Zato je jako bitno definisati ulaznu impedanzu MOS-FET-a tako sto ce postaviti otpornik na gejt po principu pull-up ili pull-down. Ovaj otpornik nije neophodan ako se sam gejt drajvuje sa nekim stepenom koji sam po sebi vec poseduje push-pull izlaz, dakle u svakom trenutku je gejt "negde" vezan dal blize plus ili minus ali nikako ne sme da visi sa jedne od strana jer ce kapacitivnost gejta "zapamtiti" to.

Dakle uvek kada radite sa MOS-FET imajte na umu da tu ima "poveci" kondezator sto ce vam dosta olaksati razumevanje konstrukcije/sheme.

Evo i shema ekvivaletnog kola za MOS-FET radi lakseg razumevanja:


Site about Software Defined Radio – SDR
http://yu3ma.net/
https://github.com/yu3ma
On-line LM317 kalkulator
Prikačeni fajlovi
 
Odgovor na temu

macolakg
Dragoljub Aleksijevic
Kragujevac

Član broj: 301424
Poruke: 3227
*.adsl.eunet.rs.



+1095 Profil

icon Re: Gate mosfeta u vazuhu- provodi DS ili ne?04.06.2012. u 01:54 - pre 144 meseci
Da dopunim odlicne komentera kolega VRadule i mikikg:

Kod aplikacija, gde je napon napajanja u odnosu na prag uspostavljanja provodjenja (treshold) veci od odnosa Cgs/Cdg ili Cge/Ccg (kod IGBT), kada gejtovi "vise" automatski dolazi do provodjenja svih tranzistora zbog punjenja Cgs ili Cge (kod IGBT) kroz Cdg odnosno Ccg (kod IGBT) na napon veci od U-treshold (formira se kapacitativni razdelnik napona).

Neretko dolazi i do proboja zone g-s ili g-e (kod IGBT) u visokonaponskim aplikacijama, pri situacijama zakacinjanja veoma "tvrdog" napajanja sa velikom brzinom porasta napona u jedinici vremena (kao sto je npr. prikljucenje vec napunjenog Elko).

Cak je pozeljno, kada nismo sigurni kako se driver ponasa u iskljucenom stanju, paralelno g-s ili g-e imati otpornik dovoljno malog otpora da tranzicija koja prodje kroz Cdg/Ccg ne moze na gate da ostvari napon treshold-a.

Pozdrav
 
Odgovor na temu

[es] :: Elektronika :: Gate mosfeta u vazuhu- provodi DS ili ne?

[ Pregleda: 2076 | Odgovora: 3 ] > FB > Twit

Postavi temu Odgovori

Navigacija
Lista poslednjih: 16, 32, 64, 128 poruka.